摘要
用TPP 1型椭圆偏光谱仪测量了注入能量为 5 0keV ,不同注入剂量的N+2 注入Si的折射率谱 .计算了单晶硅电极化的弛豫时间 。
The refractive index spectrum of implanted Si with implanted energy 50 keV and different doses N + 2 are measured by Tpp l ellipsometry spectroscopy. The relaxation time of crystal electric polarzation are calculated. And these results are discussed.
出处
《辽宁大学学报（自然科学版）》
CAS
2002年第1期56-61,共6页
Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition
基金
辽宁省科委
辽宁省教委
辽宁大学资助项目
