摘要
前言李南强等用单扫描极谱仪研究了镓(Ⅲ)-茜素络合剂(ALC)的络合吸附波,而有关Ga(Ⅲ)-ALC络合物的吸附伏安法的研究与应用尚未见报道。本文在HAc—NaAc介质中,用吸附伏安法对Ga(Ⅲ)—ALC络合物在静汞电极上的吸附与电还原过程进行了研究,分别于—0.35伏和—1.16伏处得到ALC及Ga(Ⅲ)—ALC的吸附伏安峰,其中—1.
出处
《山东建材学院学报》
1991年第1期69-72,共4页
Journal of Shandong Institute of Building Materials
