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混成式焦面器件中InSb背面减反/钝化膜研制 被引量:4

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摘要 InSb凝视焦平面器件(FPA)制造中,InSb芯片背面经磨抛减薄后需在表面沉积减反/钝化膜,增大InSb芯片对红外光的吸收,同时减少载流子的表面复合。本文介绍了采用等离子化学气相沉积(PECVD)方法在几种不同沉积条件下生长的SiO_x,测量其光谱透过率及C-V特性,通过对沉积条件进行优化分析,获得了适合于FPA中InSb芯片的既能有效减反又可以有效降低表面复合的沉积条件。
出处 《航空兵器》 2001年第5期13-15,共3页 Aero Weaponry
  • 相关文献

参考文献1

二级参考文献2

  • 1Fang F F,Phys Rev Lett,1966年,16卷,797页
  • 2桂永胜,半导体学报

同被引文献14

引证文献4

二级引证文献8

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