单晶外延层厚度的X射线双晶衍射测定
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2王玉田.MBE[(GaAs)_l(Ga_(1-λ)Al_xAs)_m]_n/GaAS(001)一维超晶格的X射线双晶衍射测量[J].发光学报,1989,10(1):82-96. 被引量：1
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3陈京一,朱南昌.GaAs中Si^＋注入的X射线双晶衍射研究[J].科技通讯（上海）,1992,6(2):1-9.
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5李润身,朱南昌.单晶晶胞参数的X射线双晶衍射测定方法[J].科技通讯（上海）,1990,4(3):16-23.
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6姜力,吴苍生,王玉田,高维宾.MBE[(AI_xGa_(1-x)As)_l(GaAs)_m]_n/GaAs(001)超晶格结构参数的X射线双晶衍射测量研究[J].Journal of Semiconductors,1989,10(2):86-92. 被引量：8
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7李润身,朱南昌.单晶晶胞参数的X射线双晶衍射测定方法[J].Journal of Semiconductors,1990,11(10):759-767.
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8刘广荣.中国瑞典合作InGaAs量子阱激光器研究取得新成果[J].半导体信息,2008,0(3):33-34.
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9麦振洪,王超英,吴兰生,江潮,周钧铭.InAlAs/InGaAs/InP异质结构的X射线双晶衍射研究[J].中国科学（A辑）,1994,24(1):44-51. 被引量：1
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10潘栋,曾一平,吴巨,王红梅,李晋闽,孔梅影.50周期的In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs应变超晶格的生长[J].Journal of Semiconductors,1997,18(6):470-473. 被引量：1
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