GaAs中Si^＋注入的X射线双晶衍射研究
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1朱南昌,李润身,陈京一,许顺生.单晶外延层厚度的X射线双晶衍射测定[J].Journal of Semiconductors,1992,13(11):690-697. 被引量：1
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2朱南昌,李润身.单晶外延层厚度的X射线双晶衍射测定[J].科技通讯（上海）,1991,5(4):10-15.
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3李润身,朱南昌.单晶晶胞参数的X射线双晶衍射测定方法[J].Journal of Semiconductors,1990,11(10):759-767.
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4王玉田.MBE[(GaAs)_l(Ga_(1-λ)Al_xAs)_m]_n/GaAS(001)一维超晶格的X射线双晶衍射测量[J].发光学报,1989,10(1):82-96. 被引量：1
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5李润身,朱南昌.单晶晶胞参数的X射线双晶衍射测定方法[J].科技通讯（上海）,1990,4(3):16-23.
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6朱南昌,周国良.不同生长温度下Ge0.5Si0.5／Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射…[J].科技通讯（上海）,1994,8(1):1-6.
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7麦振洪,王超英,吴兰生,江潮,周钧铭.InAlAs/InGaAs/InP异质结构的X射线双晶衍射研究[J].中国科学（A辑）,1994,24(1):44-51. 被引量：1
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8潘栋,曾一平,吴巨,王红梅,李晋闽,孔梅影.50周期的In_(0.3)Ga_(0.7)As/GaAs应变超晶格的生长[J].Journal of Semiconductors,1997,18(6):470-473. 被引量：1
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