摘要
采用MEMS体硅工艺，研制了两种结构MEMS光开关。一种采用叉指电容水平驱动方式，另一各采用垂直结构驱动方式。第一种光开关具有单层硅结构。采用了正面释放刻蚀扩散工艺。此工艺简单，而且可同时在硅基上制作光纤自对准V形槽、驱动电极采用p^++/n结隔离，隔离电压350－450V，驱动电压小区15V，测得谐振频率＞1kHz，开关速度小于20ms。第二种光开关具有硅－玻璃的双层结构。采用了硅－玻璃键合工艺，利用湿法腐蚀（EPW）对晶向的选择性。制作垂直的光挡板微镜，驱动电压高于水平驱动方式，但具有较高开关速度。这两种光开关的开关寿命优于1×10^8，但损耗还较大有待降低。
