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Ti/Sr比对SrTiO_3晶界层电容器性能的影响

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摘要 采用空气中一次烧成工艺,通过性能测定、SEM观察,研究了Ti/Sr与SrTiO_3晶界层电容器材料试样的烧结性能、半导化、显微结构及介电性能之间的关系。结果表明,Sr过量试样的烧结及半导化过程与Ti过量的均有很大差异,这主要与烧成过程中液相量的变化规律有关。Ti/Sr比及烧成温度对试样的显微结构有明显影响,因而也影响了试样的介电性能。关键词:SrTiO_3;晶界层电容器;Ti/Sr比;一次烧成。
出处 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期16-21,共6页 Bulletin of the Chinese Ceramic Society
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