摘要
虽然电子辐照会使P-N结中的自由载流子浓度减少,P-N结宽度增加,但其反向漏电流也随之增加,最终使P-N结反向击穿电压略有下降;对晶体管和晶闸管,由于辐照使其电流放大系数下降,最终其反向击穿电压却略有增加。
Influence of electron irradiation on backward breakdown voltage of semiconductor devices was discussed. The experimental results showed that avalanche breakdown voltage for diodes fell slightly while it rose a little for power transistors and thyristors.
出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期253-255,共3页
Nuclear Techniques
关键词
电子辐照
半导体器件
反向击穿电压
Electron irradiation Backward breakdown voltage Diode Transistor Thyristor
