电子辐照晶体管的研究

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摘要本文提供了利用5MeV电子辐照把硅外延晶体管改造成为开关晶体管的一种新方法,经各种例行工艺实验证明这种方法完全可以取代传统的掺金工艺.本文还利用深能级瞬息谱(DLTS)等方法研究了电子辐照引入该晶体管中缺陷的性质,发现了H(0.35)和H(0.41)能级.晶体管的等时退火特性表明这些缺陷在420℃以上的温度才能消失,这足以证明这些缺陷具有很好的热稳定性.

作者王忠安

机构地区北京大学物理系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第3期17-24,共8页 Semiconductor Technology

关键词电子辐照晶体管

分类号 TN320.1 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

1989年第3期

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