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一种Ka频段MEMS开关的研制 被引量:3

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摘要 设计了一种应用于Ka频段的并联电容式MEMS开关,该开关利用表面牺牲层工艺制备,具有低损耗、高隔离度等特点。经测试,开关在Ka频段内,回波损耗优于30dB,插入损耗典型值-0.13dB@27GHz,优于-0.28dB@40GHz,隔离度全频段优于22dB,驱动电压在50V^70V范围。
出处 《数字技术与应用》 2014年第2期68-68,70,共2页 Digital Technology & Application
  • 相关文献

参考文献4

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  • 3R.Malmqvist,"Monolithic integration of millimeter-wave RF- MEMS switch circuits and LNAs using a GaAs MMIC foundry process technology",IEEE MTT-S International Microwave Workshop Se- ries on Millimeter Wave Integration Technologies2011,pp-148- 151.
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同被引文献8

引证文献3

二级引证文献5

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