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富士通半导体发布耐压150V的氮化镓功率器件产品

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摘要富士通半导体（上海）有限公司于近期推出基于硅衬底的氮化镓（GaN）功率器件芯片MB51T008A，该芯片可耐压150V，将于2013年7月起开始提供新品样片，2014年开始量产。该产品初始状态是断开，相比于同等耐压规格的硅功率器件，品质因数（FOM）可降低近一半。

出处《集成电路应用》 2013年第8期43-43,共1页 Application of IC

关键词硅功率器件氮化镓半导体富士通耐压产品初始状态品质因数

分类号 TN386.4 [电子电信—物理电子学]

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集成电路应用

2013年第8期

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