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富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件

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摘要富士通半导体（上海）有限公司近日宣布采用其基于硅基板的氮化镓（GaN）功率器件的服务器电源单元成功实现2．5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。

出处《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第12期45-45,共1页 Electronic Components And Materials

关键词功率器件半导体富士通氮化镓电源单元高输出功率服务器硅基板

分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]

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电子元件与材料

2012年第12期

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