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CMOS门阵列电路用封装外壳的研制

Development of Packages for CMOS Gate Ar ray Circuits
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摘要 介绍了一种用于封装万门至十万门级 CMOS门阵列电路的 PCA1 32多层陶瓷外壳的研制。该外壳的设计采用了 CAD设计布线 ,模拟并优化外壳的信号线电阻、线间电容、电感及传输延迟等参数 ,使其满足电路要求。并且通过结构可靠性设计 ,使外壳抗机械冲击、温度冲击能力大大提高 ,满足了高可靠应用要求。 A multi-layer ceramic package has been developed for 10k to 10 0k CMOS gate array circuits.The package is designed with CAD technology.Paramete rs including signal line resistance,line -to-line capacitance,inductance and sign al transmission delay are simulated and optimized.In the meantime,the structura l design for reliability is made,which e nhances the resistance of the package to mechanical strike and thermal shock.Fin ally,the process flow is described and t he results are discussed
出处 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期206-208,共3页 Microelectronics
关键词 封装 CMOS电路 门阵列 外壳 CMOS Gate arra y Package Multi-layer ceramic package
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