俄歇能谱在微电子领域中的应用
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1俞跃辉,林成鲁,张顺开,方子韦,邹世昌.离子注入形成SOI结构的界面及埋层的俄歇能谱研究[J].物理学报,1989,38(12):1996-2002.
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2鲍德松,刘古,季振国,鲍世宁.硅表面液相钝化膜及其界面的俄歇能谱研究[J].浙江大学学报（自然科学版）,1989,23(6):779-782.
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3俞跃辉,林成鲁,邹世昌,卢江.氧离子和氮离子共注入硅形成SOI结构的俄歇能谱研究[J].Journal of Semiconductors,1991,12(10):614-618.
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4黄生荣,田洪涛,陈朝.革命者——中国LED照明专辑——激光诱导下SaN的p型掺杂研究[J].中国照明,2007(5):83-88. 被引量：2
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5邵力为,刘洁美,胡嗣安,侃仕中.掺氮吸气剂的俄歇能谱分析[J].东南大学学报（自然科学版）,1990,20(3):98-102.
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6张旭苹,陈国平.射频反应溅射SiO_2薄膜的研究[J].真空电子技术,1994,7(3):3-6. 被引量：2
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7汪师俊,蔡琪玉,沈天慧.光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——Ⅱ光化学气相淀积氮化硅膜的性质[J].微电子学与计算机,1993,10(3):45-48.
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8刘小阳,陈蒲生,王川,黄世平.用俄歇能谱研究热氮化SiO_2膜中氮原子的扩散[J].华南理工大学学报（自然科学版）,1995,23(12):75-81.
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9苑军军,仇庆林,朱燕艳.Si基Er_2O_3薄膜初始生长的原位RHEED和AES研究[J].微纳电子技术,2015,52(2):98-102.
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10柴常春,杨银堂,李跃进,姬慧莲.3C-SiC单晶薄膜的干法刻蚀研究[J].西安电子科技大学学报,2001,28(1):100-104. 被引量：2
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