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LBO晶体的生长缺陷研究 被引量:1

RESEARCH ON THE GROWTH DEFECT OF LBO CRYSTAL
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摘要 采用化学腐蚀光学显微法和同步辐射截面形貌术研究了三硼酸锂 (LBO)晶体的生长缺陷 ,实验结果表明 ,LBO晶体中的主要缺陷是位错、包裹物和扇形界 .讨论了这些缺陷形成的原因和降低缺陷的措施 . The growth defects of LBO crystals were investigated by methods of optical micrography and white_beam synchrotron radiation topography (WBSRT). The results indicate that the main defects in LBO crystal are dislocation, inclusion and sector boundary. The causes of forming the defects and the measures for improving the quality of crystals have been discussed.
出处 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第4期388-391,共4页 Journal of The Chinese Ceramic Society
基金 山东省自然科学基金!资助项目 (Y98A1 50 1 8) 山东大学晶体材料国家实验室开放经费资助
关键词 三硼酸锂晶体 非线性光学 晶体生长 晶体缺陷 lithium triborate crystal white_beam synchrotron radiation topography dislocation inclusion
  • 相关文献

参考文献4

二级参考文献9

  • 1江爱栋,人工晶体,1988年,17卷,3/4期,280页
  • 2Chen Chuangtian,International Conference on Laser,1987年
  • 3赵书清,1987年
  • 4徐秀英,物理学报,1990年,39卷,491页
  • 5赵庆兰,物理学报,1990年,39卷,1418页
  • 6赵庆兰,物理学报,1990年,39卷,1424页
  • 7赵书清,人工晶体学报,1989年,18卷,9页
  • 8赵庆兰,物理学报,1989年,38卷,1134页
  • 9陈创天,1987年

共引文献5

同被引文献8

引证文献1

二级引证文献2

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