分子束外延生长p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料

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摘要我们以掺Fe的高阻InP作衬底材料,在国产MBE-Ⅲ型设备上,采用调制掺杂技术,成功地生长出了p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料。室温霍耳效应测量表明:载流子浓度为10^(14)/cm^3量级,迁移率为250cm^2/V·s。俄歇谱分析清楚表明,仅在ZnTe层中Sb原子存在,且界面比较分明,调制掺杂已获初步成功。

作者徐梁陈云良沈玉华王海龙

机构地区中国科学院上海光机所

出处《半导体情报》 1991年第6期31-32,共2页 Semiconductor Information

关键词分子束外延超晶格材料掺杂 P型

分类号 TN304.2 [电子电信—物理电子学]

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半导体情报

1991年第6期

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