ZnTe的微波合成与生长
-
1张忱.在GaAs上生长ZnTe[J].电子材料快报,1999(2):13-14.
-
2晓晔.Ⅱ—Ⅵ族衬底新动态（一）[J].电子材料快报,2000(2):8-9.
-
3晓晔.Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料地位不容忽视[J].电子材料快报,1999(6):7-8.
-
4黄廷荣.Ⅱ—VI族宽禁带化合物半导体的研究现状及其应用前景[J].电子材料（机电部）,1991(9):22-29.
-
5惠钟锡.高功率微波之合成[J].电子技术参考,1995(4):1-8.
-
6晓晔.Ⅱ—Ⅵ族衬底新动态（二）[J].电子材料快报,2000(3):8-9.
-
7晓晔.在晶向偏离的GaAs（110）上生长ZnSe[J].电子材料快报,1998(10):11-12.
-
8Reyn.,RA,李玲.Ⅱ—Ⅵ族化合物：30年的历史以及今后30年的潜力[J].红外,1990(1):1-3.
-
9徐永宽.P型ZnSe的氮掺杂及其载流子的补偿[J].电子材料快报,1998(9):16-17.
-
10徐梁,陈云良,沈玉华,王海龙.分子束外延生长p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料[J].半导体情报,1991,28(6):31-32.
;
