分子束外延生长多量子阱激光器的实验研究

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摘要本文报道了GaAlAs/GaAs多量子阱激光器的实验结果。采用Zn扩散平面条形结构的6μm宽单条激光器,获得了线性输出功率大于100mW的良好结果,其阈值电流密度为2000A/cm^2,室温下特征温度大于400K。

作者刘斌屠玉珍顾德英金志良方祖捷周均铭黄绮

机构地区中国科学院上海光机所中国科学院物理研究所

出处《半导体情报》 1991年第6期76-78,共3页 Semiconductor Information

关键词半导体激光器量子阱分子束外延

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半导体情报

1991年第6期

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