摘要
评述长波红外焦平面阵列技术的进展,介绍一种适合于发展长波红外焦平面阵列的新材料—InAsSb 应变层超晶格及其生长技术、发展背景、目前现状,生长这种材料用的分子束外延和有机金属化学汽相淀积工艺及其这种材料的发展前景。
This paper reviews several LWIR FPA technologic developments, introduces a new material InAsSb SLS adaptable to developping the LWIR F- PA,background,present status,MBE and MOCVD technologies for growing the material and its outlook.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期342-350,共9页
Semiconductor Optoelectronics
