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瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET 被引量：1

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摘要瑞萨电子宣布开发出了导通电阻仅为150mΩ（栅源间电压为10V时的标称值）的600V耐压超结型功率MOSFET“RJL60S5系列”，将从2012年9月开始样品供货。超结是可在不牺牲耐压的情况下，降低导通电阻的功率MOSFET的元件构造。

出处《电子工业专用设备》 2012年第7期59-59,共1页 Equipment for Electronic Products Manufacturing

关键词功率MOSFET 低导通电阻耐压标称值结型元件

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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电子工业专用设备

2012年第7期

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