提高高频硅堆单结耐压可行性试验分析
-
1黄乃强.关于开关管耐压要求的论证[J].电视机维修,1998(7):39-39.
-
2李旭,宋俊德,刘峰,马莉,宋梅.信道分配策略的研究与比较[J].电讯技术,2000,40(1):48-51. 被引量：3
-
3问与答[J].无线电,2013(6):83-83.
-
4瑞萨推出导通电阻仅为150mΩ的600V耐压超结MOSFET[J].电子工业专用设备,2012,41(7):59-59. 被引量：1
-
5半导体功率器件的耐压层技术[J].东莞科技,2002(11):54-54.
-
6苏有朋.探析单片机的音量控制系统设计[J].数字技术与应用,2017,35(2):182-182.
-
7吴金平.电子产品耐压安全测试错误两例[J].电子质量,1997(12):12-12.
-
8从余.用低耐压超低导通电阻场效应管制作的甲类单端输出功率放大器[J].实用电子文摘,1998(2):22-27.
-
9吴家烜.BLF369在短波200W固态线性功放中的应用[J].黎明职业大学学报,2009(2):38-40.
-
10陈婧,杨子侠,段青鹏,张君.自动除泡机大尺寸腔体的设计与研究[J].电子工业专用设备,2015,44(7):39-42. 被引量：1
;
