摘要
基于有限差分法开发了一个 Gex Si1-x合金基区异质结晶体管 (Gex Si1-x HBT)模拟器GSHBT。通过解释一组输入语句 ,GSHBT可模拟任意掺杂分布和锗分布的 Gex Si1-x HBT的直流特性、频率特性和器件的内部图像。文中描述了 GSHBT的特点和使用方法 ,阐述了进行器件特性分析的数值方法 ,并给出了应用实例。
Based on different method, a simulator GSHBT is developed for analyzing the mechanism of Ge xSi 1-x alloy base heterojunction bipolar transistor(Ge xSi 1-x HBT). By translating a group of input sentences, GSHBT can simulate the DC characteristics, the AC characteristics and the devices internal graph for arbitrary dopant and Ge distribution. The function and usage of GSHBT are described, also the numerical method is given, and an example is shown.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2000年第1期99-104,共6页
Research & Progress of SSE
基金
国家 8 63![863 -3 0 7-1 5-4 ( 0 6) ]
国家‘九五’重点科技攻关!( 97-761 -0 3 -0 2 )
国家自然科学基金!( 698760 0 4
698962 6
关键词
锗硅合金
模拟器
异质结
晶体管
Ge_xSi_(1-x) alloy
simulator
heterojunction
transistor
