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氯霉素在Pt/GC离子注入修饰电极上的伏安行为及其测定 被引量:11

Voltammetric Behaviour of Chloramphenicol at Ion Implantation Modified Electrode Pt/GC and Its determination
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摘要 氯霉素在浓度为0.1 m ol/L 的NaOH 溶液中,Pt/GC 离子注入修饰电极上有一还原峰,峰电位为 - 0.80 V(vs.SCE),氯霉素的浓度在 1.0×10- 5~1.0×10- 3 m ol/L 范围内与峰电流成正比。检出限为5.0×10- 6 m ol/L。已用于氯霉素眼药水的测定。用线性扫描和循环伏安法研究体系的性质。实验表明,是注入的Pt催化了氯霉素的还原;体系属准可逆过程。 In 0.1 mol/L NaOH solution,a sensitive reduction peak of chloramphenicol was obtained by linear sweep voltammetry at Pt/GC ion implantation modified electrode.The peak potential is -0.80V( vs .SCE).The linear relationship hold between the peak current and the chloramphenicol concentration ranging from 1.0×10 -5 ~1.0×10 -3 mol/L with a detection limit of 5.0×10 -6 mol/L.The voltammetric behaviour of the system was studied by linear sweep and cyclic voltammetry.Pt is introduced into the GCE surface to catalze the chloramphenicol reduction .The system is quasi reversible.
出处 《分析试验室》 CAS CSCD 2000年第1期27-29,共3页 Chinese Journal of Analysis Laboratory
基金 国家自然科学基金!(No.29875003) 教育部博士点基金!(No.98102709)
关键词 氯霉素 离子注入 修饰电极 伏安行为 Chloramphenicol ion implantation modified electrode voltammetric behaviour
  • 相关文献

参考文献6

二级参考文献2

  • 1潘忠孝,化学因子分析,1992年
  • 2潘忠孝,分析化学,1991年,19卷,826页

共引文献4

同被引文献93

引证文献11

二级引证文献27

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