MOS器件^(90)Sr-^(90)Y源电离辐射效应研究被引量：1

Ionizing Radiation Effects on MOS Devices Irradiated by^(90)Sr^(90) Y Source

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摘要介绍了利用90Sr-90Y源辐照装置对MOSFET进行低剂量率辐射条件下的电离辐射效应实验,着重研究了MOSFET的辐照敏感参数随辐照剂量的变化规律,并对实验结果进行了分析讨论。 Ionizing radiation effects on MOSFET′s are investigated by using a 90 Sr 90 Y irradiation source setup at low dose rate.Parameters of the MOSFET sensitive to the total dose radiation are studied in detail.Finally,the experimental results are analyzed and discussed.

作者罗尹虹张正选吴国荣彭宏论

机构地区西北核技术研究所

出处《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期31-34,共4页 Microelectronics

关键词电离辐射效应 MOSFET 辐射源 Ionizing radiation effect MOSFET Radiation hardening Total dose irradiation ^(90)Sr^(90)Y source

分类号 TN386.1 [电子电信—物理电子学]

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参考文献4

1袁仁峰姜景和.电子材料和器件辐射效应的基本机制[J].国外核试验技术,1990,13(1):29-29.
2Lifshitz Y，IEEE Trans Nucl Sci，1993年，40卷，6期，1388页
3袁仁峰，国外核试验技术，1990年，13卷，1期，29页
4罗尹虹，星载辐射环境下 MOSFET的总剂量辐射效应 [

共引文献2

1龚建成,罗尹虹,郭红霞,周伯昭.MOS器件脉冲总剂量效应时间关联响应的模拟计算[J].核电子学与探测技术,2008,28(4):835-840. 被引量：2
2罗尹虹,张正选,姜景和,姚育娟,何宝平,王桂珍,彭宏论.MOS器件加固技术的理论研究[J].原子能科学技术,2002,36(3):276-279. 被引量：1

同被引文献9

1HOOGE F N.1/f noise sources [J] .IEEE Tram on ED,1994, 41( 11 ) : 1926-1935.
2RAYCHAUDHURI A K. Measurement of 1/f noise and its application in materials [J]. Current Opinion in Solid State & Materials Science,2002,6( 1 ) :67-85.
3SANGSWANG A, NWANKPA C O. Noise characteristics of DC/DC boost converters:experimental validation and performance evaluation [J] .IEEE Trans on Industrial Electronics,2004,51 (6) : 1297-1304.
4ADELL P C, SCHRIMPF R D, HOLMAN W T, et al. Total-dose and single-event effects in DC/DC converter control circuitry [J]. IEEE Trans on Nuclear Science,2003,50(6) :1867-1872.
5OLDHAM T R. MCLEAN F B. Total ionizing dose effects in MOS oxides and devices [J]. IEEE Trans on Nuclearc Science, 2003,50 (3) : 489-499.
6HSIEH F H, YEN N Z, JUANG Y T. Optimal controller of buck DC/DC converter using the uncertain load as stochastic noise [J]. IEEE Trans on Circuits and Systems Ⅱ: Express Briefs ,2005,52(2) :77-81.
7ADELL P C, SCHPdMPF R D, CHOI B K, et al. Total-dose and single-evant effects in switching DC/DC power converters [J] .2002,49(6) :3217-3221.
8EIDE M, Measurement and filtering of output niose of DC/DC conveners [K]. Chief Technologist, Interpoint Application note, 2006.
9O'BRYAN M V, LABEL K A, REED R A,et al. Radiation damage and single event effect results for candidate spacecraft electronics [ C]//IEEE Radiation Effects Data Workshop. Reno, USA, 2000 : 106-122.

引证文献1

1王党会,许天旱,王党朝,曹衎.DC/DC辐照损伤与VDMOS器件1/f噪声相关性研究[J].半导体技术,2008,33(12):1057-1061.

1吴国荣,张正选,罗尹虹,郭红霞,周辉,姜景和.^(90)Sr-^(90)Y源半导体器件辐照效应在线测量系统[J].核电子学与探测技术,2000,20(3):180-182.
2高（编译）.用于夜视系统的红外辐照装置[J].红外,2006,27(7):4-4.
3王桂珍,龚建成,姜景和,吴国荣,林东升,常冬梅.电子元器件及电路的剂量率效应测试技术研究[J].微电子学,2001,31(2):130-134. 被引量：10
4王军,杨渭.辐射对半导体霍尔器件输入电阻的影响[J].科学技术与工程,2007,7(22):5767-5770.
5李清源,魏秀云,栗培义.电子线路的瞬态γ射线辐照效应试验技术研究[J].航天器环境工程,1994,11(1):46-50.
6斯琴图雅,王强.电子辐照装置安全设施检验分析[J].中小企业管理与科技,2008(7):178-179. 被引量：1
7惠宁,郭刚,陈泉,史淑廷,蔡莉,武斌.用于微束的固体核径迹探测器蚀刻技术研究[J].中国原子能科学研究院年报,2007(1):149-150.
8李豫东,汪波,郭旗,玛丽娅,任建伟.CCD与CMOS图像传感器辐射效应测试系统[J].光学精密工程,2013,21(11):2778-2784. 被引量：40
9王晓辉,童腾,苏弘,刘杰,张战刚,古松,刘天奇,孔洁,赵兴文,杨振雷.A flexible and robust soft-error testing system for microelectronic devices and integrated circuits[J].Nuclear Science and Techniques,2015,26(3):64-70.
10胡本芙,高桥平七郎.He对低活性Fe-Cr-Mn(W,V)合金辐照产生点缺陷行为的影响[J].金属学报,2004,40(9):955-961. 被引量：4

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