摘要
运用湿化学与表面化学方法制备了ZnS/HgS/ZnS/CdS量子点量子阱 (QDQW )结构 ,以吸收光谱、光致发光及激发谱表征该结构 ,并研究了外层CdS对材料发光特性的影响 ,首次观测到CdS对中间HgS阱层发光的增强作用 ,并归因于隧道效应 (TunnelingEffect)的存在。
ZnS/HgS/ZnS/CdS Quantum Dot Quantum Well System was prepared by wet chemical and surface chemical methods for the frist time.The structure was characterized by absorption spectra,PL and PLE spectra.The coated CdS can enhance the PL intensity of HgS.It is caused by tunneling effect.
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第1期50-52,共3页
Journal of Functional Materials
基金
国家自然科学基金
中国科学院基础研究重点基金 (青年 )资助项目
