摘要
从制备方法、结构特征和光电性能等各方面介绍了氢化非晶硅碳合金(a-SiC_λ:H)薄膜这种重要的半导体材料,对其发展现状及前景进行了综述。并对近年来出现的纳米硅碳(nc-SiC_λ:H)薄膜的发展状况作了专门评述。
The preparation methods .structure nature,and optoelectric properties of hydrogenatecl amorphous silicon carbide (a-SiCx :H) films were described. As a type of novel materials .nanocrystalline silicon carbide(nc-SiCx H) films were given a specical review.
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第2期41-43,24,共4页
Materials Reports
基金
国家自然科学基金(No.69890230
关键词
硅碳合金
纳米薄膜
结构
光电性能
半导体材料
Silicon-carbon alloys,amorphous ,nanocrystalhne films, structure, optoelectric properties
