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石英晶体测厚仪监控核靶厚度 被引量:4

DETERMINATION AND CONTROL OF TARGET THICKNESSES WITH QUARTZ CRYSTAL THICKNESS MONITOR
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摘要 一、引言随着核物理研究的不断深入和高稳定性加速器及高分辩探测系统的发展,对核靶质量的要求越来越高。为获得高质量的核靶,必须在靶膜沉积过程中控制薄膜形成的条件。就蒸发膜而言,除了要有较好的蒸发源,清洁的高真空系统及一定的衬底温度外,必须对膜层厚度和蒸发速率进行精确控制。为此。 The measurement principle of model IL 100 thickness and rate monitor aredescribed. The method of converting linear thickness in nm units into mass thick-ness in μg/cm^2 units is mentioned. The effect of crucible temperature upon thick-ness determination is discussed. The gas amount absorbed by deposition foils isgiven.
作者 许国基
出处 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第5期78-81,共4页 Atomic Energy Science and Technology
关键词 核靶 石英晶体 测厚仪 厚度 Ouartz crystal thickness monitor Nuclear target
  • 相关文献

参考文献1

  • 1薛大同,真空与低温,1983年,2期,1页

同被引文献8

  • 1许国基,孙树华,罗兴华,关守仁.滚轧法研制自支撑金属靶[J].原子能科学技术,1989,23(4):13-18. 被引量:2
  • 2孙树华,原子能科学技术,1979年,1期,99页
  • 3林树嘉,真空镀膜技术,1962年
  • 4团体著者,原子能科学技术,1977年,1期,94页
  • 5林树嘉,真空镀膜技术,1962年
  • 6Wang Qi,Chin J Nucl Phys,1993年,15卷,2期,113页
  • 7田民波,刘德令.薄膜科学技术手册:上[M].北京:机械工业出版社,1991:149.
  • 8HAOLANL.真空镀膜技术[M].林树嘉,译.北京:国防工业出版社,1962:80-88.

引证文献4

二级引证文献7

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