一种可实现多种高压器件的新型BCD工艺被引量：1

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摘要在标准CMOS平台上,开发出一种自隔离的新型BCD工艺。利用场氧层的阻挡,通过高能注入直接形成高压器件的表面P型降场层,从而减少了所需掩模板数量。该工艺也采用了深N阱的高能离子注入及多步注入形成的倒置阱,可减少长时间热过程带来的工艺偏差和时间成本。结果表明,该工艺在实现器件性能的同时,降低了成本,提高了可靠性。

作者钱振华邓光平李泽宏

机构地区电子科技大学功率集成技术实验室

出处《电子元器件应用》 2011年第4期31-33,58,共4页 Electronic Component & Device Applications

关键词 RESURF LDMOS 多区JFET BCD工艺

分类号 TN624 [电子电信—电路与系统]

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电子元器件应用

2011年第4期

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