高能离子注入技术的应用被引量：1

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摘要 1 前言最近,利用MeV级高能离子注入直接向半导体衬底的深部掺杂的技术已经在实际中应用。在提高注入的均匀性和缩短热处理周期方面都超过了以往离子注入的水平,为器件的制作带来了新的手段。

作者黑井隆吴明华

出处《微细加工技术》 1992年第4期9-14,共6页 Microfabrication Technology

关键词高能离子注入应用离子注入

同被引文献7

1宋书林,陈诺夫,尹志岗,柴春林,杨少延,刘志凯.离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究[J].功能材料,2004,35(z1):1308-1310. 被引量：2
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微细加工技术

1992年第4期

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