高能注入在研制垂直源区GaAs MESFET中的应用
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摘要
我们利用高能注入技术和SI-GaAs材料研制出了1种新结构的GaAs MESFET.这种新结构有利于克服功率MESFET中源、栅、漏的引线在同一平面交错带来的工艺及寄生效应方面的问题,并且它的一个栅同时控制2个沟道。
Han Dejun Li Guohui Wang Qi Han Wei(Institute of Low Energy Nuclear physics, Beijing Normal University, 100875, Beijing)
出处
《北京师范大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1992年第4期563-564,共2页
Journal of Beijing Normal University(Natural Science)
基金
国家自然科学基金
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