摘要
根据一般的散热理论，探讨了大功率 Ｄ Ｍ Ｏ Ｓ场效应管 Ｂ Ｌ Ｆ１４７ 的热传输过程，计算出 ４００ Ｗ 全固态发射机功放部分的散热面积。
The high\|power transistor always is a low\|voltage and high\|current apparatus. Radiation is very important for it. Based on the normal radiation theory, this paper discussed the heat\|transmission process of high\|power D\|MOS field effect transistor (FET) BLF147, and schemed out its radiated passageway and over\|heated protection circuits.
出处
《武汉大学学报（自然科学版）》
CSCD
1999年第3期377-380,共4页
Journal of Wuhan University(Natural Science Edition)
基金
国家"863"计划资助项目
关键词
雷达
设计
发射机
固态发射机
散热系统
radiation
thermal resistance
over\|temperature protection
