摘要
用扫描电镜、透射电镜和二次离子质谱研究了硅外延片中的Ｓ坑缺陷。在Ｓ坑缺陷中观察到一种线度比通常Ｓ坑更大的浅底坑缺陷。研究表明Ｓ坑缺陷分布在３～４μｍ深的外延表面层中，其结构为位错缠结及带有杂质沉淀的缺陷团。Ｓ坑缺陷起因于金属杂质的沾污。
Saucerpit(Spit)defectsinsiliconepitaxialwafershavebeenstudiedbymeansofSEM,TEMandSIMS.ASpitdefectwiththesizelargerthanoneofnormalSpitwasobserved.ThedepthdistributionofSpitsintheepitaxiallayerwasfoundtobelocatedatdepthof34mfromthesurface.TheconstructionofSpitisthedislocationtanglesanddefectsclusterdecoratedwithimpurityprecipitates.TheSpitdefectswerecausedbymetalimpuritycomtamination.
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期221-225,共5页
Research & Progress of SSE
关键词
硅外延
S坑缺陷
沉淀
位错缠结
外延生长
SiliconEpitaxySaucerPit(Spit)DefectPrecipitateDislocationTangleImpurityComtamination
