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流动注射-化学发光法测定痕量锇(Ⅳ)的研究及应用 被引量:2

Study on Flow-Injection Chemiluminescence for the Determination of Trace Amount Os(IV) and Its Application
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摘要 基于丙酮在吐温40一氢氧化钾一过氧化氢一O_s(Ⅳ)体系中增强O_s(Ⅳ)的化学发光,采用流动注射进样技术,建立了测定痕量锇(Ⅳ)的新的化学发光分析法.方法的线性范围为1.0X1~-8~1.0X10~-6O(Ⅳ)/mL检出限为2.0X10~-9g/m,对10X10~-7g/mLOs(Ⅳ)标准溶液测定11次的相对标准偏差为3.0%.拟定方法用于贵金属精矿中痕量锇的测定,结果满意。本文还进行了增敏机理的探讨. A new chemiluminescent analysis for the determination of trace amount Os (VI) by flow--injection was proposed in this paper, based on acetone enhancing chemiluminescence of Os(VI) in Tween 40 - KOH -H_2O_2 - Os (VI ) chemiluminescent system. The detection limit is 2.0x10^-9g/mL, the linear range is 1.0x10^-8 1.0x 10^-6g/mL for Os(VI)and the relative standard deviation is 3.0% for 11 measurements of 1.0x 10^-7g/mL for Os(VI). The proposed method has been applied to the determination of Os(VI) in precious metal ores with satisfatory results. The mechanism of acetone enhancing was also investigated.
机构地区 武汉大学化学系
出处 《冶金分析》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期1-3,共3页 Metallurgical Analysis
关键词 流动注射 化学发光 吐温40 饿 贵金属精矿 测定 Flow-injection, Chemiluminescence, Tween40, Osmium
  • 相关文献

参考文献9

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