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邻菲口罗啉化学修饰碳糊电极三元络合物体系测定痕量钴 被引量:4

Determination of Trace Cobalt in Ternary Complex System with Phen Chemically Modified Carbon Paste Electrode
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摘要 制备了邻菲口罗啉化学修饰碳糊电极,在含噻吩甲酰三氟丙酮的HAc-NaAc体系中,Co(Ⅱ)离子经化学富集在电极表面上形成三元络合物.采用2.5次微分伏安法测定痕量Co(Ⅱ)离子.Co(Ⅱ)浓度在8.0×10-9~7.0×10-7mol·L-1范围内与阳极溶出峰峰高成良好的线性关系,检出限达1.2×10-9mol·L-1.电极用于水样中钴的测定,结果令人满意. The preparation of phen chemically modified carbon paste electrode and the electrochemical characteristic of the electrode in the system of HAc NaAc were described.Owing to the synergic effect of HTTA,the ternary complex is formed on the electrode surface.Using 2.5 order differential voltammetry and for a chemical preconcentration time of 7 min,the good linear range from 8.0×10 -9 mol·L -1 to 7.0×10 -7 mol·L -1 Cobalt(Ⅱ) is showed.The recommended procedure is applied to the determination of trace amount of cobalt in natural water.
出处 《湖南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1998年第5期38-42,共5页 Journal of Hunan University:Natural Sciences
基金 湖南省自然科学基金
关键词 碳糊电极 三元络合物 化学修饰电极 phen chemically modified carbon paste electrode,ternary complex,voltammetry
  • 相关文献

参考文献5

二级参考文献10

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共引文献7

同被引文献73

引证文献4

二级引证文献36

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