摘要
利用分子束外延 (MBE)在GaAs( 0 0 1)单晶衬底上进行了α Sn薄膜的生长 ,利用反射高能电子显微镜 (RHEED) ,原位监控α Sn的生长过程和利用透射电子显微镜 (TEM )分析了界面结构 .测试结果表明 ,与以往报道相比亚稳态的α Sn膜具有高得多的温度稳定性 (由 70℃提高到 10 0℃ )和厚度稳定性 (由 5 0 0nm提高到 70 0nm) ,并观察到在其他电性能方面的改进 .此外 ,还提出了一种新型量子阱结构 .
出处
《中国科学（A辑）》
CSCD
1998年第2期166-170,共5页
Science in China(Series A)
基金
国家自然科学基金资助项目 !(批准号 :695860 0 1)
