异质外延GaN膜的发光特性
-
1王剑屏,郝跃,彭军.SiC单片集成电路工艺技术[J].西安电子科技大学学报,2000,27(2):228-232.
-
2晓晔.GaAs（001）和（110）上的ZnSe异质外延[J].电子材料快报,1998(10):15-16.
-
3黄善祥,林金庭,陆正,沈浩瀛,王翠莲,郑有(火斗,张荣,严勇,冯端.GaAs/Si异质外延的新进展[J].固体电子学研究与进展,1991,11(4):324-331.
-
4宋登元.硅上异质外延高温超导体薄膜的进展[J].稀有金属,1992,16(1):64-68.
-
5宋登元.以Si为衬底GaAs异质外延工艺及其在半导体激光器中应用的研究进展[J].半导体光电,1990,11(2):119-127.
-
6晓晔.Si（001）上异质外延BexZn1—xSe[J].电子材料快报,1998(8):4-6.
-
7黄廷荣.在Si衬底上异质外延GaAs的位错产生机理及其抑制技术的研究进展[J].电子材料（机电部）,1992(11):22-31.
-
8宋登元.硅上异质外延材料和器件的研究动向[J].半导体技术,1991,7(1):15-19. 被引量：2
-
9高瑛,刘学彦,赵家龙,苏锡安,高鸿楷,赵星,龚平,何益民.MOCVD法异质外延GaP/Si薄膜的研究[J].光电子技术,1993,13(3):47-50.
-
10孔春阳,马勇.金刚石膜的磁阻效应和压阻效应[J].功能材料,2002,33(2):120-121.
;
