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硅上异质外延材料和器件的研究动向
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2
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摘要
本文分别介绍了GaAs/Si、PTCDA/Si和YBCO/Si这三种以硅为基体异质材料的结构、特点、需解决的问题及其在半导体器件制备中的应用,同时也指出了它们今后的发展方向。
作者
宋登元
机构地区
河北大学电子系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第1期15-19,7,共6页
Semiconductor Technology
关键词
硅
异质处延材料
GAAS/SI
器件
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
1991年 第1期
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