摘要
用电子束蒸发法在n-Si(100)衬底上制备了Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_3(PZT)多晶薄膜,研究了薄膜的表面形貌、结晶特性、红外吸收特性随生长温度和退火温度的变化关系,发现较高的生长温度有利于(101)方向晶粒的择优生长,较高的退火温度能促进(101)方向的晶粒向(110)方向的晶粒转变,(110)择优方向的薄膜对长红外波段的吸收比(101)择优方向的薄膜明显增强。
Polycrystalline Pb（Zr0.52Ti0.48）03 （PZT） thin films are prepared on n-doped Si（100） substrates by electron beam evaporation. The morphological and structural properties are characterized by field emission scanning electron microscopy （SEM） and X-ray diffraction （XRD）. The films growing at 365℃consist of preferred （ 101 ） orientation substantially. The films that are prepared at room temperature and then annealed at 380℃ consist of preferred （110） orientation substantially.
出处
《上海师范大学学报（自然科学版）》
2007年第5期37-40,共4页
Journal of Shanghai Normal University(Natural Sciences)
基金
上海市教育委员会科学研究项目(05DZ08).
