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低损耗脉冲中高压电容器瓷料的研制
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摘要
通过采用Bi^(3+)、Pb^(2+)和Mg^(2+)与SrTiO_3固溶,并添加微量MnCO_3和Sb_2O_3对SrTiO_3改性,研制出ε≥1700,tgδ≤0.3％,-25～+85℃△C/C≤-7％,直流抗电强度≥6.7MV/m的介质材料。该介质适合制作表面温升低的低损耗脉冲中高压瓷介电容器及其它要求低损耗的高压电容器。
作者
张吉林
机构地区
国营第七一五厂
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
1989年第2期23-27,共5页
Electronic Components And Materials
关键词
电容器
瓷介质
SRTIO3
介质材料
分类号
TM534.1 [电气工程—电器]
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电子元件与材料
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