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超高介TiO_2晶界层电容器陶瓷

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摘要本文介绍了对掺杂Ta、Ba的TiO_2晶界层电容器陶瓷的研究结果。这种陶瓷只需一次烧成就可形成晶界层结构,其介电常数高达10~5,不仅可望成为制作晶界层电容器的理想瓷料,而且有可能用于开发比电容更高的独石型晶界层电容器。

作者李其凤郑安泉

机构地区上海科技大学分部

出处《电子元件与材料》 CAS CSCD 1989年第1期35-37,共3页 Electronic Components And Materials

关键词电容器陶瓷 TIO2 晶界层介电常数

分类号 TM28 [一般工业技术—材料科学与工程]

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