摘要
利用X射线光电子能谱(XPS)深度剖析方法对ZnO/Si异质结构同一典型样品的不同部位进行了分析。讨论了同时刻(厚度)样品的生长情况及所说明的问题。提出要使样品生长得更理想,应做到使DIBD系统连续工作。
At the different positions of the same typical sample,heteroepitaxial structres ZnO/Si （Ⅲ） grown by O＋-assisted Pulsed Laser Deposition （PLD） have been investigated by using X-ray Phptoelectron Sppctrposcopy （XPS）depth prpofile measurements. The growth states of the sample at different time （depth）and problems included have been discussed. If the DIBD works continuosly,a sample will be grown more perfectly.
出处
《渤海大学学报（自然科学版）》
CAS
2007年第1期24-27,共4页
Journal of Bohai University:Natural Science Edition
基金
国家"八六三"计划资项目(NO:863-715-001)-0162
中国地质大学(北京)科技基金资助项目(NO:200524)
