摘要
建立了光刻胶刻蚀过程模拟的三维动态CA模型,通过制定规则来确定模拟过程中不断更新的表面元胞,使得模拟只需计算表面元胞的刻蚀过程;同时模型避免了在模拟程序中大量运用if-else结构,使运算速度大大提高.因此模型具有稳定性好、运算速度快的优点.首先利用一些刻蚀速率测试函数对模型进行测试,验证了模型的效果.随后结合曝光过程和后烘过程模拟,采用一个精度较高的光刻胶刻蚀速率计算公式模拟光刻胶刻蚀过程;并将模拟结果与已有的实验结果进行了对比,比较一致.这些结果表明建立的光刻胶刻蚀过程模拟的三维动态CA模型具有较高的精度,能有效地模拟光刻胶刻蚀过程,并可与曝光、后烘等光刻工艺模拟的其他步骤集成在一起.
出处
《中国科学（E辑）》
CSCD
北大核心
2007年第1期32-42,共11页
Science in China(Series E)
基金
国家自然科学基金项目(批准号:50325519)
国家高技术研究发展计划(批准号:2003AA404010)资助
