SACP技术在红外器件研制工艺中的应用探讨

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摘要各类半导体器件的性能几乎都与界面状态有关,研制高性能的红外探测元件首要的就是如何获得表面无污染、无损伤、结构完整的优质晶片。诚然,晶体结构的完整性取决於晶体生长,而晶片表面的污染,损伤则与晶片制作的各种工艺密切相关。本文介绍利用电子通道技术来检验半导体晶片表面的污染、损伤及结构完整性我们所进行的一些初步工作。对由同一晶锭上切割下的碲镉汞晶片任取10片分为两组进行了对比分析。结果表明在机械磨。

作者徐晓华李萍

机构地区昆明物理研究所

出处《电子显微学报》 CAS CSCD 1990年第3期268-268,共1页 Journal of Chinese Electron Microscopy Society

关键词红外器件工艺 SACP技术

分类号 TN214 [电子电信—物理电子学]

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电子显微学报

1990年第3期

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