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GaAs光电阴极制备工艺的俄歇分析

AES STUDIES OF GaAs PHOTOCATHODE FABRICATION PROCESS
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摘要 我们在一台制作第三代象增强器的超高真空系统中安装了俄歇(Auger)能谱仪,以其对GaAs光电阴极的制备过程进行在线监测分析,其中包括选择性腐蚀过程的俄歇观测,阴极激活前清洁措施的效果评价和Cs-O激活过程中As/Ga俄歇信号比对光电灵敏度的影响,Cs源纯度的分析及对光电发射的影响。根据分析结果,激活出了1000μA/lm的反射式光电阴极和500μA/lm的透射式光电阴极。 s The fabrication steps of photocathode for the third generation image intensifier have been studied by an Auger Eletron Spectroscope in situ a UHV system. In this paper,the resultant surface after selective etching are evaluated,the effects of the cleaning procedures before activation are com-pared,the relation between As/Ga Auger signal ratio and photoemission are reported.Photoemission as high as S=1000μA/lm has been obtained with a reflective GaAs cathode and S=500μA/lm with a transmissive cathode.
出处 《光子学报》 EI CAS CSCD 1996年第10期902-905,共4页 Acta Photonica Sinica
关键词 光电阴极 热清洁 激活 俄歇分析 Photocathode Etching Surface cleaning Activation
  • 相关文献

参考文献3

  • 1郑伟谋,表面分析,1980年
  • 2侯洵,光电发射材料,1979年
  • 3Liu Y Z,Appl Phys Lett,1969年,14卷,9期,275页

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