CaAsMMIC芯片背面烧结界面的离子刻蚀俄歇分析与扫电能谱分析

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摘要砷化镓单片微波集成电路(GaAsMMIC)是近期发展起来的一种新型微波集成电路。它体积小,重量轻,可靠性高,可广泛用于通信、雷达及机载、弹载等其它微波系统中。MMIC的应用除对电性能有要求外,对可靠性也要有要求,可靠性设计除芯片设计和制作工艺中考虑外,为满足恶劣环境下工作的要求,要将芯片封装在密封的管壳内。

作者戴永胜

机构地区南京电子器件研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第6期57-58,共2页 Semiconductor Technology

关键词集成电路芯片离子刻蚀俄歇能谱

分类号 TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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3丁奎章.栅非对称配置的GaAsMESFET击穿电压的研究[J].半导体技术,1989,5(1):21-24.
4曹立礼 Paul,D.SiO2／Si界面过渡特性俄歇分析[J].清华大学学报（自然科学版）,1989,29(53):87-92.
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6刘秀喜,孙瑛.硅片杂质污染俄歇分析及脱水烘干法[J].山东师范大学学报（自然科学版）,1992,7(2):25-30.
7毛大立,颜本达.多层金属薄膜Au—Ni—Si的扫描俄歇分析[J].真空与低温,1991,10(2):1-3.
8冯士维,吕长志,丁广钰.GaAs　MESFET正向肖特基结电压温度特性的研究[J].Journal of Semiconductors,1994,15(11):747-753. 被引量：9
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半导体技术

1991年第6期

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