提高微波功率晶体管击穿电压研究被引量：6

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摘要微波功率晶体管其微波参数（ｆＴ、ＧＰ、ＰＯ等）和击穿电压ＢＶＣＢＯ对外延层参数选取是互相制约的。现采取超低浓度深结保护环新工艺较巧妙地解决此矛盾，使得微波功率晶体管的微波参数和击穿电压ＢＶＣＢＯ获得明显改善。此工艺已成功用于３．１～３．４ＧＨｚ系列脉冲功率晶体管研制中。

作者黄忠升潘宏菽

机构地区电子工业部第十三研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第5期22-26,共5页 Semiconductor Technology

关键词微波低浓度深结环扩功率晶体管

同被引文献37

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半导体技术

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