3．1～3．4GHz 120W硅脉冲功率晶体管
被引量：1
3. 1-3.4 GHz 120 W Pulsed Silicon Power Transistor
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期140-140,共1页
Research & Progress of SSE
同被引文献9
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