带有质量分离的低能双离子束外延技术
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1杨君玲,陈诺夫,刘志凯,杨少延,柴春林,廖梅勇,何宏家.离子束外延生长(Ga,Mn,As)化合物[J].稀有金属,2001,25(4):289-293.
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2黄大定,姚振钰,壬治璋,王向明,刘志凯,秦复光.质量分离低能离子束外延超薄硅单晶的初步研究[J].Journal of Semiconductors,1993,14(8):509-512. 被引量：1
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3吴正龙,姚振钰,刘志凯,张建辉,秦复光,林兰英.图形衬底上硅区双离子束选择淀积Co研究[J].Journal of Semiconductors,1999,20(11):1010-1014. 被引量：3
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4柴春林,杨少延,刘志凯,廖梅勇,陈诺夫,王占国.质量分离的双离子束沉积法生长CeO_2(111)/Si薄膜[J].稀有金属,2001,25(6):401-403.
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5黄大定,高维滨,吴正龙,张建辉,刘志凯.在GaSb衬底上生长c-GaN的初步研究[J].Journal of Semiconductors,1998,19(9):656-660.
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6何辅云,张勇.慢变化图像PAL信号的Y、C高质量分离[J].电脑应用技术,2002,ZZZ(53):8-10.
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7姚振钰,任治璋,王向明,刘志凯,黄大定,秦复光,林兰英.用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi_2半导体外延膜的初步研究[J].Journal of Semiconductors,1992,13(8):518-521. 被引量：3
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8吴正龙,黄大定,杨锡震.电子能谱研究生长高质量CeO_2/Si异质结[J].真空科学与技术,1998,18(6):428-435.
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9杨君玲,陈诺夫,刘志凯,杨少延,柴春林,廖梅勇,何宏家.离子束外延生长半导体性锰硅化合物[J].Journal of Semiconductors,2001,22(11):1429-1433. 被引量：3
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10刘力锋,陈诺夫,张富强,陈晨龙,李艳丽,杨少延,刘志凯.低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜[J].稀有金属,2004,28(3):558-562. 被引量：2
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