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提高硅功率器件使用温度的探讨被引量：1

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摘要《ZP型硅整流元件部标准》规定硅整流元件额定结温为140℃,为满足坦克对硅整流元件的高温要求,在研制硅整流元件过程中,恰当地选取硅单晶电阻率,加上适当的表面造型和表面保护,制成结温达190℃的硅整流元件,使用温度提高了50℃,满足了装甲兵对坦克整流元件的要求。

作者潘广问徐彦彬

机构地区襄樊大学物理教研室襄樊仪表元件厂

出处《半导体杂志》 1996年第1期14-17,共4页

关键词硅功率器件使用温度硅整流元件

分类号 TN386.4 [电子电信—物理电子学]

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同被引文献1

1[2]一机部颁布.ZP型硅整流元件部标准[M].北京:技术标准出版社,1986.

引证文献1

1潘广问.高温硅功率器件所用硅单晶电阻率的选取[J].襄樊学院学报,2001,22(5):22-24. 被引量：1

二级引证文献1

1田苗.烧铝工艺及其在平板压接式整流管芯片的应用研究[J].物联网技术,2017,7(12):59-62.

1秦祖新,刘三清.MOS型硅功率器件平面终端结构[J].微电子学,1992,22(2):37-44.
2耐压150V的GaN功率器件[J].今日电子,2013(9):66-66.
3孙国印.硅整流元件的纸源扩散工艺及应用[J].河南冶金,2001,9(6):39-40.
4奚肠,潘阳.大功率硅整流元件热管风冷散热器研究[J].江西能源,1991(4):25-28.
5富士通半导体发布耐压150V的氮化镓功率器件产品[J].集成电路应用,2013(8):43-43.
6凌炜,姚天宝.3千安1千伏硅整流二极管[J].电机电器技术,1991(4):4-5.
7富士通半导体推出耐压150V的GaN功率器件产品[J].电子设计工程,2013,21(15):64-64.
8王雪薇,盛世英.大功率晶闸管的表面造型[J].电力电子技术,1991(2):65-66.
9潘广问.浅谈硅单晶的电阻率对硅功率器件温度特性的影响[J].襄樊大学学报,1996,11(1):15-16.
10秦祖新,刘三清.MOS型硅功率器件的耐压与终端处理[J].微电子学,1991,21(6):7-13.

半导体杂志

1996年第1期

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