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用高频C-V特性测量表面势和界面陷阱密度及其分布 被引量:1

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摘要 本文基于对MOS结构耗尽-弱反型区C-V特性的理论分析,提出了一种利用高频C-V特性直接测量半导体表面势和界面陷阱密度及其按能量分布的简便方法,减少了测量分析的计算量,降低了对样品的要求。本文还给出了一些实验样品的测试结果。
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期57-60,64,共5页 Semiconductor Technology
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